GaN和ZnO是宽禁带半导体材料，作为第三代半导体材料的代表，在短波长紫外发光器件、紫外探测器和高温大功率微波电子器件等光电子和微电子领域具有广泛的应用前景。 　　目前对GaN、ZnO基材料与器件的研究基本上都是在c面材料上开展的。GaN、ZnO材料在常温下具有稳定的纤锌矿结构，不具有中心反演对称性，并且Ga、Zn原子分别和N、O原子的电负性相差很大，导致GaN、ZnO及其异质结在c方向具有很强的自发极化和压电极化效应。极化效应在沿c方向生长的GaN、ZnO外延层中产生高强度的内建电场。此内建电场的存在引发了量子限制STARK效应（QCSE），使能带...

　　2011年全球NAND Flash中，全球三星电子（Samsung Electronics）仍是位居全球NAND Flash市场龙头，市占率高达36.2%,紧追在后的是东芝（Toshiba），市占率达35.1%,两者合计掌握70%以上NAND Flash市场；根据市调机构TrendForce最新统计，2011年第1季NAND Flash品牌供应商的位元出货量为13%,营收成长9.9%,达53.63亿美元。 　　2011年第1季全球NAND Flash市场变化相当多，最大影响当属日本311东北强震，对后势NAND Flash市场和科技产业的供给面都造成...

　　开发新一代LED照明解决方案，需要动用飞机发动机专家吗？ 　　美国能源部及马里兰大学研发的1500流明原型LED灯，能释放相当于100瓦卤素灯的光亮，而且仅消耗1/3的能量，它靠什么技术达到这样的照明效率呢？答案：原用于GE航空发动机的高速空气喷射技术。 　　虽然大家都认同LED在能源和寿命方面的优越性，但仍有批评者认为LED灯不够亮。这和一般LED的散热问题有着紧密的联系，而在这款LED灯内部，有两个小风箱式的设备驱动产生高速的空气喷射，产生的气流冲击内置的散热装置，以达到冷却效果。它们吸入空气，然后以更快的速度将空气从同一个开口喷射出去，实际上就...